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IGBT模塊靜態參數測試設備

一、產品簡介IGBT模塊靜態參數測試設備是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1) 門極觸發參數測試單元2) 維持電流測試單元3) 阻斷參數測試單元4) 通態壓降參數測試單元5) 電壓上升率參數測試單元6) 擎住電流7) 門極電阻8) 計算機控制系統9) 合格證標簽打印1

  • 產品單價: 100000.00元/套
  • 品牌:

    西安智盈電氣科技有限公司

  • 產地:

    陜西 西安市

  • 產品類別:參數測量儀
  • 有效期:

    長期有效

  • 發布時間:

    2025-07-01 09:51

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  • 產品詳情

產品參數

品牌:

西安智盈電氣科技有限公司

所在地:

陜西 西安市

起訂:

≥1 套

供貨總量:

10 套

有效期至:

長期有效

外形尺寸:

800*800*1800

型號:

ZY-DBC

產品特性:

可靠性高

詳情介紹

一、產品簡介

IGBT模塊靜態參數測試設備是晶閘管、整流二極管靜態參數檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。

 該套測試設備主要有以下幾個單元組成:

1)       門極觸發參數測試單元

2)       維持電流測試單元

3)       阻斷參數測試單元

4)       通態壓降參數測試單元

5)       電壓上升率參數測試單元

6)       擎住電流

7)       門極電阻

8)       計算機控制系統

9)       合格證標簽打印

10)  夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具

二、技術條件

主要技術指標:

  2.1  門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT

1.  陽極電壓:12V;

2.  陽極串聯電阻:6Ω;

3.  門極觸發電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;

4.  門極觸發電流:2~450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓:12V;

2. 預導通電流: >10A,正弦衰減波;

3. 維持電流: 2~450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率:單次;

2.3  通態壓降測試單元VTM

1.     平板器件通態電流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

2.     模塊器件通態電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

3.  電流上升沿時間:≥5ms;

4.  通態壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;

5.  測試頻率:單次;

2.4  斷態電壓/斷態漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1.  阻斷電壓:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;

模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

2. 正反向自動測試

3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;

精度:±5%±1 mA;

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設定的范圍則自動保護。  

5. 測試頻率: 50HZ

2.5  斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1.  電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%;

2.  電壓過沖范圍:<50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;

2.6  擎住電流IL100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動加壓方式

三、功能概述

3-1測試功能范圍

該套測試設備主要可測試以下參數:

1.       門極參數測試:VGT、IGT

2.       維持電流測試:IH

3.  阻斷參數測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。

4.       壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。

5、           電壓上升率參數測試:dv/dt

6、           擎住電流IL

7、           門極電阻:適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準則及原理滿足  IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規定。

(上海新能源汽車)

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